由于IGBT模组电流越大,开关频率越高,模块热功耗也就越大。IGBT散热好坏将直接影响整机的正常运行工作。一般而言,基于硅器件的电力电子设备须在125℃范围以下工作,IGBT须在150℃以下工作。未来的碳化硅器件可以将其扩展到200℃。电力电子的热管理通常需要使用导热界面材料,将封装连接到散热器,且界面对整体的热阻抗和长期性能起到了至关重要的作用。就可靠性来说,虽然一些传统导热硅脂提供了良好的界面浸润性能,但会出现硅油溢出的情况,从而降低热性能。
导热相变化材料无论是膏状还是片材,都拥有等同于导热硅脂的界面浸润性能,而且表现出更低的热阻抗,全方面解决大功率IGBT模组的热传导问题,提升IGBT的可靠性。导热相变化具有较高黏性和抗垂流特性,相变后具有更好的界面浸润性但不会溢出,具有更低的界面热阻和长期工作可靠性,保障功率器件和设备稳定运行。
TIC800G导热相变化产品特性:
良好的热传导率:5.0 W/m-K;
高导热性能有助于确保IGBT、CPU等功率器件可靠性;
0.014℃-in² /W 热阻;
室温下具有天然黏性, 无需黏合剂;
流动性好,但不会溢出;
具有不同的规格,提供多种厚度尺寸选择。
产品参数表: